Lil kkalkkal-i's NOTEBOOK

반도체 관련하여 공부하고 정리하는 블로그입니다~

2025년 9월 8일 월요일

반도체 후공정, Bump Reflow(범프 리플로우) 공정이란?(Pre-Reflow, TCB, Mass Reflow)

*목차*

1. Reflow 공정이란? with Flux

2. Reflow 공정의 방식. Pre-Bump Reflow(Balling), TCB, Mass Reflow

자세한 내용 보기 »

시간: 9월 08, 2025 댓글 없음:

이메일로 전송 BlogThis!X에 공유 Facebook에서 공유 Pinterest에 공유

라벨: 리플로우, 반도체 공정, 반도체 후공정, 범프, 패키지, Ball bump, Balling, Bump, HBM, Mass Reflow, Package, Pre Reflow, Reflow, TCB

위치: 대한민국

최근 게시물 이전 게시물 홈

피드 구독하기: 글 (Atom)

반도체 후공정, Bump Reflow(범프 리플로우) 공정이란?(Pre-Reflow, TCB, Mass Reflow)

*목차* 1. Reflow 공정이란? with Flux 2. Reflow 공정의 방식. Pre-Bump Reflow(Balling), TCB, Mass Reflow

반도체 공정 Descum(디스컴) 공정이란? PR Pattern의 Scum(찌꺼기)를 제거하는 공정.

*목차* 1. Descum 공정이란? 2. Descum 공정의 원리 3. Descum 공정에서 PR scum 제거 반응 4. Descum 공정의 주의점
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리

*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage

*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage

프로필

JOOfluffy: 반도체 분야에서 종사하고 있는 공정 엔지니어 입니다. 반도체 공정 및 관련 내용에 대해서 공부하고 정리하는 블로그입니다. 혹시 오류가 있으면 댓글로 알려주세요~

전체 프로필 보기

이 블로그 검색

홈

카테고리

Theory (9)
반도체 etc. (3)
반도체 전공정 (16)
반도체 후공정 (15)
플라즈마 (13)

애널리틱스

태그

2차 전자 4번째 물질 상태 거칠기 건식 시각 공정 교류 플라즈마 균일도 글로우 방전 급격한 전위 차이 기체 내부 에너지 기체 열 에너지 기체 일 에너지 노광 다이싱 다이아몬드 구조 대기압 CVD 데이터 뒤틀림 등방성 디스컴 라디칼 리플로우 맥스웰 메니스커스 면적 열팽창 모세관 현상 반도체 반도체 8대 공정 반도체 공정 반도체 전공정 반도체 제조 공정 반도체 패키지 반도체 패키징 반도체 후공정 반도체 etc. 범프 범핑 범핑 공정 분산 분석 비대칭 CCP 비등방성 비열 사면 입방체 삼투 현상 선 열팽창 선속 선택비 소성 소수성 소잉 쉬스 쉬스 전압 스퍼터 스퍼터링 습식 식각 시그마 식각 실리콘 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 결정 구조 싱귤레이션 쏘 다이싱 쏘잉 암방전 양이온 충돌 언더필 에너지 보존 법칙 에치 에칭 연마 연마속도 열 에너지 열 용량 열 평형 열변형률 열압착 열역학 법칙 열역학 제 0법칙 열역학 제 1법칙 열응력 열적 평형 상태 열증발 열초음파 열팽창 계수 열팽창 계수 차이 와이어 본딩 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 유도 바이어스 유도 전기장 유도 전류 유도결합플라즈마 유전 상수 유전율 유전체 음극 전압 강하 응력 변형률 선도 이론 이방성 이상 기체 이온 잉곳 자기 바이어스 재배열 저항열 전구체 전기 용량 전기장 전자 전자의 가속 전해도금 접속단자 접촉각 정재파 정전 용량 정제층 젖음성 준중성 상태 증착 체적 열팽창 초음파 축전 결합 플라즈마 친수성 캐필러리 언더필 커프 탄성 탄성력 패키지 패키징 편차 평균 평탄도 평탄화 포토 포토 공정 표면 처리 표면에너지 표면장력 표준편차 플라즈마 플라즈마 반응 플라즈마 전위 플럭스 플로팅 전위 플립칩 본딩 픽의 법칙 픽의 제 1법칙 픽의 제 2법칙 화학증착법 확산 확산 법칙 훅의 법칙 AC Discharge Plasma AC Plasma AC Power ALCVD Analysis Anisotropic Anode Sheath APCVD Ar Area Asymmetric CCP Atmospheric CVD Back Grinding Back-End Bake Ball bump Balling Bending Bevel cut Blade Blade Dicing Bonding Pad Boundary layer Bump Bumping Capacitance Capacitively Coupled Plasma Capillary Underfill Cathode Sheath CCP CCP AC Plasma Charge Transfer Chemical Mechanical Polishing Chemical Vapor Deposition CLTE CMP Coefficient of Thermal Expansion Coefficient of Thermal Expansion Mismatch Compression Stress Contact angle Crying type Crystal Structure CTE CTE Mismatch Curing Cutting CVD CVD 원리 Dark Discharge DBG DC bias DC Discharge DC Glow Discharge Plasma DC Plasma DC Plasma Sheath DC Sputtering Deposition Descum Development Diamond Structure Dicing Dicing Before Grinding Dielectric Material Diffusion Flux Difusion Dissociation Dissociative Attachment Dry Etch Dual cut E beam Evaporation E-Field EDS Elastic Modulus Elasticity Electric Field Electron Electron Attachment Electron beam Electroplating Epoxy Etch Etching Evaporator Excitation FCB Fick's Law Flip Chip Bonding Floating Potential Flux Full cut Glow Discharge Gold Wire Half cut HBM HDPCVD Heat Capacity Hook's Law Hydrophilic Hydrophobic Hydroxyl ICP Ideal gas Impedance Inductively Coupled Plasma Ingot Ion Ion bom Ion Implantation Ionization Isotropic Jurin's Law Kerf Law of Thermodynamics Lead Frame Linear Low Pressure CVD LP LPCVD Mass Reflow Maxwell Mean Free Path Metalization MFP Min-Max O2 Plasma OH Osmosis Oxidation PAC Package Packaging Pad Pad Conditioner PCB PEB PECVD Permittivity Photo Photo Active Compound Photo mask Photo Resist Photolithography Physical Vapor Deposition Pillar Bump Planarization Plasma Plasma Enhanced CVD Plasma Potential Plasma Reaction Plasticity Polishing Poly Crystal Post Exposure Bake PR PR 물결 PR 잔여물 PR 찌꺼기 PR coating PR Scum Pre Reflow Precursor Process Process Sequence PVD Radical Radio Frequency RDL Recombination Redistribution Layer Reflow Relaxation RF RF Matcher RF Plasma RF Power RF Sputtering RIE Roughness Saw Dicing Sawing Scum SE Secondary Electron Seed Seed Metal Layer Self bias Semiconductor Semiconductor Fabrication Process Sheath Sheath Potential Sheath Voltage Si Si Wafer Si Wafer 제조 공정 Sigma Silicon Wafer Single Crystal Singulation Slurry Smiling type Solvent Specific Heat Sputter Sputtering Stabilization Stagnant layer Standard Deviation Standing Wave Step cut Stress Strain Curve Surface energy Surface Tension Surface Treatment TCB Tensile Stress Theory Thermal Energy Thermal Equilibrium Thermal Evaporation Thermal Strain Thermal Stress Thermersonic Thermocompression Thermodynamics Thermosonic Ultrasonic Underfill Uniformity Vapor Deposition Variance 데이터 분석 Volume Wafer Wafer Cutting Warpage Wedge Wet Etch Wettability Wire Bonding

태그

2차 전자 4번째 물질 상태 거칠기 건식 시각 공정 교류 플라즈마 균일도 글로우 방전 급격한 전위 차이 기체 내부 에너지 기체 열 에너지 기체 일 에너지 노광 다이싱 다이아몬드 구조 대기압 CVD 데이터 뒤틀림 등방성 디스컴 라디칼 리플로우 맥스웰 메니스커스 면적 열팽창 모세관 현상 반도체 반도체 8대 공정 반도체 공정 반도체 전공정 반도체 제조 공정 반도체 패키지 반도체 패키징 반도체 후공정 반도체 etc. 범프 범핑 범핑 공정 분산 분석 비대칭 CCP 비등방성 비열 사면 입방체 삼투 현상 선 열팽창 선속 선택비 소성 소수성 소잉 쉬스 쉬스 전압 스퍼터 스퍼터링 습식 식각 시그마 식각 실리콘 웨이퍼 실리콘 웨이퍼 결정 구조 싱귤레이션 쏘 다이싱 쏘잉 암방전 양이온 충돌 언더필 에너지 보존 법칙 에치 에칭 연마 연마속도 열 에너지 열 용량 열 평형 열변형률 열압착 열역학 법칙 열역학 제 0법칙 열역학 제 1법칙 열응력 열적 평형 상태 열증발 열초음파 열팽창 계수 열팽창 계수 차이 와이어 본딩 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 유도 바이어스 유도 전기장 유도 전류 유도결합플라즈마 유전 상수 유전율 유전체 음극 전압 강하 응력 변형률 선도 이론 이방성 이상 기체 이온 잉곳 자기 바이어스 재배열 저항열 전구체 전기 용량 전기장 전자 전자의 가속 전해도금 접속단자 접촉각 정재파 정전 용량 정제층 젖음성 준중성 상태 증착 체적 열팽창 초음파 축전 결합 플라즈마 친수성 캐필러리 언더필 커프 탄성 탄성력 패키지 패키징 편차 평균 평탄도 평탄화 포토 포토 공정 표면 처리 표면에너지 표면장력 표준편차 플라즈마 플라즈마 반응 플라즈마 전위 플럭스 플로팅 전위 플립칩 본딩 픽의 법칙 픽의 제 1법칙 픽의 제 2법칙 화학증착법 확산 확산 법칙 훅의 법칙 AC Discharge Plasma AC Plasma AC Power ALCVD Analysis Anisotropic Anode Sheath APCVD Ar Area Asymmetric CCP Atmospheric CVD Back Grinding Back-End Bake Ball bump Balling Bending Bevel cut Blade Blade Dicing Bonding Pad Boundary layer Bump Bumping Capacitance Capacitively Coupled Plasma Capillary Underfill Cathode Sheath CCP CCP AC Plasma Charge Transfer Chemical Mechanical Polishing Chemical Vapor Deposition CLTE CMP Coefficient of Thermal Expansion Coefficient of Thermal Expansion Mismatch Compression Stress Contact angle Crying type Crystal Structure CTE CTE Mismatch Curing Cutting CVD CVD 원리 Dark Discharge DBG DC bias DC Discharge DC Glow Discharge Plasma DC Plasma DC Plasma Sheath DC Sputtering Deposition Descum Development Diamond Structure Dicing Dicing Before Grinding Dielectric Material Diffusion Flux Difusion Dissociation Dissociative Attachment Dry Etch Dual cut E beam Evaporation E-Field EDS Elastic Modulus Elasticity Electric Field Electron Electron Attachment Electron beam Electroplating Epoxy Etch Etching Evaporator Excitation FCB Fick's Law Flip Chip Bonding Floating Potential Flux Full cut Glow Discharge Gold Wire Half cut HBM HDPCVD Heat Capacity Hook's Law Hydrophilic Hydrophobic Hydroxyl ICP Ideal gas Impedance Inductively Coupled Plasma Ingot Ion Ion bom Ion Implantation Ionization Isotropic Jurin's Law Kerf Law of Thermodynamics Lead Frame Linear Low Pressure CVD LP LPCVD Mass Reflow Maxwell Mean Free Path Metalization MFP Min-Max O2 Plasma OH Osmosis Oxidation PAC Package Packaging Pad Pad Conditioner PCB PEB PECVD Permittivity Photo Photo Active Compound Photo mask Photo Resist Photolithography Physical Vapor Deposition Pillar Bump Planarization Plasma Plasma Enhanced CVD Plasma Potential Plasma Reaction Plasticity Polishing Poly Crystal Post Exposure Bake PR PR 물결 PR 잔여물 PR 찌꺼기 PR coating PR Scum Pre Reflow Precursor Process Process Sequence PVD Radical Radio Frequency RDL Recombination Redistribution Layer Reflow Relaxation RF RF Matcher RF Plasma RF Power RF Sputtering RIE Roughness Saw Dicing Sawing Scum SE Secondary Electron Seed Seed Metal Layer Self bias Semiconductor Semiconductor Fabrication Process Sheath Sheath Potential Sheath Voltage Si Si Wafer Si Wafer 제조 공정 Sigma Silicon Wafer Single Crystal Singulation Slurry Smiling type Solvent Specific Heat Sputter Sputtering Stabilization Stagnant layer Standard Deviation Standing Wave Step cut Stress Strain Curve Surface energy Surface Tension Surface Treatment TCB Tensile Stress Theory Thermal Energy Thermal Equilibrium Thermal Evaporation Thermal Strain Thermal Stress Thermersonic Thermocompression Thermodynamics Thermosonic Ultrasonic Underfill Uniformity Vapor Deposition Variance 데이터 분석 Volume Wafer Wafer Cutting Warpage Wedge Wet Etch Wettability Wire Bonding

블로그 보관함

9월 2025 (1)
8월 2025 (3)
3월 2025 (1)
1월 2025 (1)
10월 2024 (2)
9월 2024 (1)
8월 2024 (5)
7월 2024 (2)
6월 2024 (3)
5월 2024 (1)
4월 2024 (6)
3월 2024 (17)
2월 2024 (3)
1월 2024 (6)

Powered by Blogger.