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2024년 9월 6일 금요일
반도체 공정 Etch(식각) 공정 이란? Etch 공정의 종류
*목차*
1. 반도체 식각 공정(Etch) 이란?
2. 등방성 식각(Isotropic Etch)과 이방성 식각(Anisotropic Etch)
3. 습식 식각(Wet Etch)과 건식 식각(Dry Etch)
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2024년 3월 25일 월요일
열팽창 계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?? 선, 면적, 체적 CTE
*목차*
1. 열팽창 계수 (CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?
2. 선 열팽창 계수 (CLTE, Coefficient of Linear Thermal Expansion)
3. 면적 열팽창 계수 (Coefficient of Area Thermal Expansion)
4. 체적 열팽창 계수 (Coefficient of Volume Thermal Expansion)
5. 열챙창의 등방성(Isotropy), 이방성(Anisotropy)
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반도체 공정 Descum(디스컴) 공정이란? PR Pattern의 Scum(찌꺼기)를 제거하는 공정.
*목차* 1. Descum 공정이란? 2. Descum 공정의 원리 3. Descum 공정에서 PR scum 제거 반응 4. Descum 공정의 주의점
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage