반도체 증착 공정 APCVD(Atmospheric CVD) 대기압에서 화학반응으로 증착하는 공정

 *목차*

1. APCVD(Atmospheric CVD) 란?

2. APCVD 공정의 장단점

1. APCVD(Atmospheric CVD) 란?

-. 이전 포스팅에서 반도체 증착 공정인 PVD(Physical Vapor Deposition)와

CVD(Chemical Vapor Deposition)에 대해서 정리해봤는데요.

이번 포스팅에서는 CVD 공정 중에서

APCVD(Atmospheric CVD)에 대해서 알아봤어요.

APCVD는 이름 그대로 'Atmospheric' 대기압(상압)에서 

화학적인 반응으로 증착을 하는 방식이에요.

대기압 상태의 챔버 안에서 열에너지에 의존하여 반응 Gas의 화학반응으로 기판 위에 증착을 해요.

APCVD는 CVD공정에서 초기 형태로 주로 절연막(Passivation) 형성하는 데에 사용되는데

현재는 잘 사용하지 않는 방식이라고 하네요....

2. APCVD 공정의 장단점

* 장점

-. 대기압에서 공정이 이루어지면서 화학반응을 하는 입자의 수가 많아 반응이 쉽게 일어나고

저온 공정이 가능해요. (350~400℃)

또 공정이 과정이 간단하고 장비도 단순하면서 증착 속도가 빠르다는 장점이 있어요.

진공장비가 필요하지 않아서 장비가 저렴하다는 장점도 있어요. 

* 단점

-. 공정이 간단하고 증착 속도가 빠르다는 장점이 있지만

박막의 균일도, Step Coverage가 다른 CVD 방식보다 나쁘다는 단점이 있어요...

또 많은 화학반응으로 인해서 챔버 내부 여기저기서 화학반응을 하고 생성된 물질이

불순물 또는 Particle 오염의 원인이 될 수 있어요...

이러한 이유로 지금은 거의 사용하지 않는다네요.

**공부하면서 정리했는데 오류가 있으면 댓글로 알려주세요.