반도체 증착 공정 LPCVD(Low Pressure CVD) 저압에서 화학반응으로 증착하기

 *목차*

1. LPCVD(Low Pressure CVD) 공정이란?

2. LPCVD의 장단점

1. LPCVD(Low Pressure CVD) 공정이란?

-. 이전 포스팅에서는 반도체 증착 공정 CVD 방식에서

APCVD(Atmospheric CVD)에 대해서 정리해 봤는데요.

APCVD는 대기압의 챔버에서 열에너지를 이용하여 반응 가스의 화학반응을 유도하면서

기판 위에 화학적으로 증착하는 방식인데요.

LPCVD(Low Pressure CVD)는 이름 그대로 저압(Low Pressure)에서

열에너지를 가해서 반응 가스의 화학반응으로 증착하는 방식이에요.

2가지 방식은 챔버의 압력을 대기압이냐 저압이냐, 압력에 차이가 있고

열에너지를 이용해서 화학반응 증착을 하는 점은 동일해요.

LPCVD는 압력이 낮아서 증착 속도가 느린데요.

그래서 고온에서 공정을 진행하고 다량의 Wafer를 "Batch" 방식으로

한 번에 증착을 진행하면서 생산성을 높여요.

LPCVD는 주로 tr 게이트 층으로 사용되는 Poly-Si 박막을 증착하는데 사용한다고 해요.

2. LPCVD의 장단점

*장점

-. APCVD 보다 낮은 압력과 고온에서 증착하기 때문에

고순도의 박막 형성이 가능하고 Step Coverage, 박막 균일도가 좋음.

-. 증착 속도가 느리지만 다량의 Wafer를 한 번에 처리할 수 있음.

*단점

-. 다른 CVD 방식보다 고온 공정 필요.(500~900℃)

-. 증착 속도가 느림.

-. APCVD보다 진공 장비와 Hot wall이 추가되어 장비 구조가 더 복잡함.