열팽창 계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?? 선, 면적, 체적 CTE

*목차*

1. 열팽창 계수 (CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?

2. 선 열팽창 계수 (CLTE, Coefficient of Linear Thermal Expansion)

3. 면적 열팽창 계수 (Coefficient of Area Thermal Expansion)

4. 체적 열팽창 계수 (Coefficient of Volume Thermal Expansion)

5. 열챙창의 등방성(Isotropy), 이방성(Anisotropy)

반도체에서 사용되는 Silicon Wafer 결정 구조 및 특징 (Single Crystal, 단결정)

*목차*

1. Silicon Wafer의 결정 구조(Crystal Structure)

2. 반도체 제조에서 Single Crystal Si Wafer의 중요성

반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리

*목차*

1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징

2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow

3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)

반도체 법핑 공정(Bumping), Evaporator Deposition 방식 공정 흐름 정리.

*목차*

1. Bumping 공정 이란?

2. Evaporator Deposition Bumping Flow - UBM Lift-off 방식

3. Evaporator Deposition Bumping Flow - UBM Etch 방식

반도체 후공정, 열초음파 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란?(Gold Wire)

*목차*

1. 열초음파 방식 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란??

2. Thermosonic Wire Bonding 공정 흐름 (Gold Ball Wire Bonding)

반도체 후공정, 초음파 방식 와이어 본딩(Ultrasonic Wire Bonding) 공정 이란??

*목차*

1. 초음파 방식 와이어 본딩(Ultrasonic Wire Bonding) 공정이란?

2. Ultrasonic Wire Bonding 공정 흐름(방법)

반도체 Capillary Underfill 공정 이란? (캐필러리 언더필) with 모세관 현상

*목차*

1. Capillary Underfill(캐필러리 언더필) 이란?

2. 모세관 현상(Capillary Action) 이란?

3. Jurin's Law - 메니스커스 높이 구하기

4. 모세관 현상과 캐필러리 언더필

5. Capillary Underfill 방법