Lil kkalkkal-i's NOTEBOOK
2024년 10월 27일 일요일
유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차*
1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리
2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
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2024년 10월 6일 일요일
반도체 공정 Descum(디스컴) 공정이란? PR Pattern의 Scum(찌꺼기)를 제거하는 공정.
*목차*
1. Descum 공정이란?
2. Descum 공정의 원리
3. Descum 공정에서 PR scum 제거 반응
4. Descum 공정의 주의점
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2024년 9월 6일 금요일
반도체 공정 Etch(식각) 공정 이란? Etch 공정의 종류
*목차*
1. 반도체 식각 공정(Etch) 이란?
2. 등방성 식각(Isotropic Etch)과 이방성 식각(Anisotropic Etch)
3. 습식 식각(Wet Etch)과 건식 식각(Dry Etch)
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2024년 8월 15일 목요일
반도체 8대 공정, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정. Wafer 표면을 평탄하게 연마하기
*목차*
1. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정의 목적
2. CMP 공정 필수 요소
3. CMP 공정 방법
4. CMP 공정의 주요 변수
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2024년 8월 10일 토요일
반도체 증착 공정 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 플라즈마를 이용한 화학적 증착 방법
*목차*
1. PECVD(Plasma Enhanced CVD) 공정 이란?
2. PECVD 공정의 장단점
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2024년 8월 6일 화요일
반도체 증착 공정 LPCVD(Low Pressure CVD) 저압에서 화학반응으로 증착하기
*목차*
1. LPCVD(Low Pressure CVD) 공정이란?
2. LPCVD의 장단점
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2024년 8월 5일 월요일
반도체 증착 공정 APCVD(Atmospheric CVD) 대기압에서 화학반응으로 증착하는 공정
*목차*
1. APCVD(Atmospheric CVD) 란?
2. APCVD 공정의 장단점
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류