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2024년 10월 27일 일요일
유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차*
1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리
2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
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2024년 10월 6일 일요일
반도체 공정 Descum(디스컴) 공정이란? PR Pattern의 Scum(찌꺼기)를 제거하는 공정.
*목차*
1. Descum 공정이란?
2. Descum 공정의 원리
3. Descum 공정에서 PR scum 제거 반응
4. Descum 공정의 주의점
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2024년 7월 23일 화요일
반도체 증착 공정(Deposition) - RF Sputtering(RF 스퍼터링)에 대해서 공부해 봐요
*목차
1. RF Plasma 란?
2. 반도체 증착 공정(Deposition) RF Sputtering 이란?
3. RF Sputtering의 장단점
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2024년 7월 14일 일요일
반도체 증착 공정(Deposition) - DC Sputtering(스퍼터링) 공부
*목차*
1. DC Plasma와 DC Sputtering 이란?
2. DC Sputtering의 장단점
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2024년 6월 23일 일요일
반도체 증착 공정(Deposition) PVD 스퍼터링(Sputtering) 이란? 그리고 장단점
*목차*
1. 플라즈마(Plasma) 란?
2. 반도체 증착 공정 스퍼터링(Sputtering) 이란?
3. 스퍼터링(Sputtering)의 장단점
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2024년 2월 1일 목요일
CCP type AC or RF Plasma의 Electric Potential, Sheath, Self bias 공부
*목차*
1. CCP type AC Plasma의 전위(Electric Potential) 그리고 쉬스(Sheath)
2. CCP type AC Discharge에서 Self Bias 현상(자기 or 유도 바이어스, DC Bias)
3. Asymmetric CCP에서 Self Bias 현상
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2024년 1월 20일 토요일
CCP type AC Discharge Plasma 란? (RF POWER)
*목차*
1. CCP type AC Discharge Plasma 란?
2. CCP type AC Discharge Plasma의 생성 과정
3. CCP type AC Discharge Plasma의 특징
4. AC Plasma와 RF Power, RF Matcher
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DC Discharge Plasma의 쉬스(Sheath) 역할 및 생성 과정, 음극 전압 강하
*목차*
1. DC Discharge Plasma에서 쉬스(Sheath)의 역할
2. DC Discharge Plasma에서 쉬스(Sheath)의 생성 과정
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Plasma에서 쉬스(Sheath)의 생성 및 역할 공부 노트
*목차*
1. Plasma에서 쉬스(Sheath) 란?
2. Sheath의 생성 과정
3. Sheath의 음극 전압 강하, 양이온 충돌
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2024년 1월 18일 목요일
CCP(Capacitively Coupled Plasma), DC Glow Discharge Plasma 공부 노트
*목차*
1. CCP(Capacitively Coupled Plasma) 란?
2. DC Glow Discharge Plasma 생성 및 유지 과정
3. CCP type DC Plasma의 전극 특징
4. 암방전(Dark Discharge)과 글로우 방전(Glow Discharge)
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2024년 1월 16일 화요일
플라즈마(Plasma) 상태에서 일어나는 다양한 반응(Reaction)
*목차*
1) Ionization(이온화)
2) Excitation(여기)
3) Relaxation(탈여기, 이완) or Stabilization(안정화)
4) Dissociation(분리, 해리)
5) Recombination(재결합)
6) Electron Attachment(전자 흡착)
7) Dissociative Attachment(해리 흡착)
8) Charge Transfer(전하 이동)
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플라즈마(Plasma) 란 무엇인가? 공부노트
*목차*
1. 플라즈마(Plasma)는 무엇인가?
2. 자연계에서 볼 수 있는 Plasma
3. Plasma 만드는 방법 - 전자의 가속
4. Plasma 생성과 압력(Pressure) - Mean Free Path
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류