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2024년 3월 18일 월요일
반도체 후공정, 열초음파 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란?(Gold Wire)
*목차*
1. 열초음파 방식 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란??
2. Thermosonic Wire Bonding 공정 흐름 (Gold Ball Wire Bonding)
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2024년 3월 9일 토요일
반도체 후공정 Wire Bonding(와이어 본딩) 공정 이란? 금속 선으로 연결하기
*목차*
1. Wire Bonding(와이어 본딩) 공정 이란?
2. Wire Bonding 재료(Material)
3. Wire Bonding 종류
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류