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2024년 7월 23일 화요일
반도체 증착 공정(Deposition) - RF Sputtering(RF 스퍼터링)에 대해서 공부해 봐요
*목차
1. RF Plasma 란?
2. 반도체 증착 공정(Deposition) RF Sputtering 이란?
3. RF Sputtering의 장단점
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2024년 4월 15일 월요일
반도체 패키지, RDL(Re-Distribution Layer, 재배열) 공정 이란?
*목차*
1. RDL(Re-Distribution Layer) 공정 이란?
2. RDL Process Flow
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2024년 3월 23일 토요일
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차*
1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징
2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow
3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
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2024년 3월 19일 화요일
반도체 법핑 공정(Bumping), Evaporator Deposition 방식 공정 흐름 정리.
*목차*
1. Bumping 공정 이란?
2. Evaporator Deposition Bumping Flow - UBM Lift-off 방식
3. Evaporator Deposition Bumping Flow - UBM Etch 방식
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2024년 3월 18일 월요일
반도체 후공정, 열초음파 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란?(Gold Wire)
*목차*
1. 열초음파 방식 와이어 본딩(Thermosonic Wire Bonding) 공정 이란??
2. Thermosonic Wire Bonding 공정 흐름 (Gold Ball Wire Bonding)
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2024년 3월 17일 일요일
반도체 후공정, 초음파 방식 와이어 본딩(Ultrasonic Wire Bonding) 공정 이란??
*목차*
1. 초음파 방식 와이어 본딩(Ultrasonic Wire Bonding) 공정이란?
2. Ultrasonic Wire Bonding 공정 흐름(방법)
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2024년 3월 15일 금요일
반도체 Capillary Underfill 공정 이란? (캐필러리 언더필) with 모세관 현상
*목차*
1. Capillary Underfill(캐필러리 언더필) 이란?
2. 모세관 현상(Capillary Action) 이란?
3. Jurin's Law - 메니스커스 높이 구하기
4. 모세관 현상과 캐필러리 언더필
5. Capillary Underfill 방법
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2024년 3월 9일 토요일
반도체 후공정 Wire Bonding(와이어 본딩) 공정 이란? 금속 선으로 연결하기
*목차*
1. Wire Bonding(와이어 본딩) 공정 이란?
2. Wire Bonding 재료(Material)
3. Wire Bonding 종류
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2024년 3월 2일 토요일
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차*
1. 언더필(Underfill) 공정 이란
2. 언더필(Underfill)의 역할
3. 언더필(Underfill) 종류
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2024년 2월 25일 일요일
Flip Chip Bonding(플립칩 본딩) 공정 이란. Chip을 붙이는 반도체 후공정
*목차*
1. Flip Chip Bonding(플립칩 본딩) 공정 이란?
2. Flow of Flip Chip Bonding(플립칩 본딩 공정의 흐름)
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류