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Secondary Electron
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2024년 1월 20일 토요일
DC Discharge Plasma의 쉬스(Sheath) 역할 및 생성 과정, 음극 전압 강하
*목차*
1. DC Discharge Plasma에서 쉬스(Sheath)의 역할
2. DC Discharge Plasma에서 쉬스(Sheath)의 생성 과정
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2024년 1월 18일 목요일
CCP(Capacitively Coupled Plasma), DC Glow Discharge Plasma 공부 노트
*목차*
1. CCP(Capacitively Coupled Plasma) 란?
2. DC Glow Discharge Plasma 생성 및 유지 과정
3. CCP type DC Plasma의 전극 특징
4. 암방전(Dark Discharge)과 글로우 방전(Glow Discharge)
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류