*목차*
1. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정의 목적
2. CMP 공정 필수 요소
3. CMP 공정 방법
4. CMP 공정의 주요 변수
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
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*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump) -
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage -
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류