1. 열역학 제 0법칙(Zeroth law of thermodynamics) - 열적 평형 상태
2024년 4월 2일 화요일
2024년 3월 31일 일요일
2024년 3월 30일 토요일
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차*
1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage
2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress)
3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
2024년 3월 27일 수요일
열변형률, 열응력, 훅의 법칙 공부(Thermal Strain, Thermal Stress, Hook's Law)
*목차*
1. 열변형률(Thermal Strain) 이란?
2. 훅의 법칙(Hook's Law)와 탄성(Elasticity)
3. 열응력(Thermal Stress) 이란?
2024년 3월 25일 월요일
열팽창 계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?? 선, 면적, 체적 CTE
*목차*
1. 열팽창 계수 (CTE, Coefficient of Thermal Expansion) 이란?
2. 선 열팽창 계수 (CLTE, Coefficient of Linear Thermal Expansion)
3. 면적 열팽창 계수 (Coefficient of Area Thermal Expansion)
4. 체적 열팽창 계수 (Coefficient of Volume Thermal Expansion)
5. 열챙창의 등방성(Isotropy), 이방성(Anisotropy)
2024년 3월 24일 일요일
반도체에서 사용되는 Silicon Wafer 결정 구조 및 특징 (Single Crystal, 단결정)
*목차*
1. Silicon Wafer의 결정 구조(Crystal Structure)
2. 반도체 제조에서 Single Crystal Si Wafer의 중요성
2024년 3월 23일 토요일
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차*
1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징
2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow
3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
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*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
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*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
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*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류