Lil kkalkkal-i's NOTEBOOK
2024년 8월 6일 화요일
반도체 증착 공정 LPCVD(Low Pressure CVD) 저압에서 화학반응으로 증착하기
*목차*
1. LPCVD(Low Pressure CVD) 공정이란?
2. LPCVD의 장단점
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2024년 8월 5일 월요일
반도체 증착 공정 APCVD(Atmospheric CVD) 대기압에서 화학반응으로 증착하는 공정
*목차*
1. APCVD(Atmospheric CVD) 란?
2. APCVD 공정의 장단점
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2024년 8월 4일 일요일
반도체 증착 공정 CVD(Chemical Vapor Deposition)의 증착 원리에 대해서 공부해봐요
*목차*
1. CVD(Chemical Vapor Deposition) 이란?
2. CVD 방식의 박막 증착 원리
3. CVD 장단점
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2024년 7월 23일 화요일
반도체 증착 공정(Deposition) - RF Sputtering(RF 스퍼터링)에 대해서 공부해 봐요
*목차
1. RF Plasma 란?
2. 반도체 증착 공정(Deposition) RF Sputtering 이란?
3. RF Sputtering의 장단점
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2024년 7월 14일 일요일
반도체 증착 공정(Deposition) - DC Sputtering(스퍼터링) 공부
*목차*
1. DC Plasma와 DC Sputtering 이란?
2. DC Sputtering의 장단점
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2024년 6월 23일 일요일
반도체 증착 공정(Deposition) PVD 스퍼터링(Sputtering) 이란? 그리고 장단점
*목차*
1. 플라즈마(Plasma) 란?
2. 반도체 증착 공정 스퍼터링(Sputtering) 이란?
3. 스퍼터링(Sputtering)의 장단점
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2024년 6월 22일 토요일
반도체 증착 공정 PVD E-beam Evaporation 이란? 그리고 장단점
*목차*
1. E-beam Evaporation 이란?
2. E-beam Evaporation 장단점
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유도결합 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 원리 및 장단점 공부하기
*목차* 1. ICP(Inductively Coupled Plasma) 원리 2. ICP type 장단점 (CCP type 비교)
반도체 범핑 공정(Bumping), 전해도금(Electroplating) 방식 공정 흐름 정리
*목차* 1. Electroplating 방식 Bumping Process 특징 2. Electroplating 방식 Bumping Process Flow 3. 다른 형태의 Bump (Pillar + Bump)
열팽창 계수 차이(Coefficient of Thermal Expansion Mismatch)와 Wafer Bending, Warpage
*목차* 1. 열팽창 계수 차이(CTE Mismatch)로 인한 물체의 Bending, Warpage 2. CTE Mismatch로 발생하는 열응력(Thermal Stress) 3. CTE Mismatch로 인한 Wafer Warpage
언더필(Underfill) 공정 이란. 반도체 패키징. 플립칩 본딩 후 Chip 보호하기.
*목차* 1. 언더필(Underfill) 공정 이란 2. 언더필(Underfill)의 역할 3. 언더필(Underfill) 종류